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企業動態

浙大杭州科創中心研制出首批碳化硅晶圓

近日,浙江大學杭州國際科創中心研制出首批碳化硅晶圓,這是繼去年底首個碳化硅單晶錠成功制備后,取得的又一重要進展,標志著科創中心擁有了在碳化硅晶圓加工方面開展高水平研究的能力。

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我們熟知的各種電路元件結構大多都是在晶圓的基礎上制作而成的。目前,在高壓、高頻、高溫電子器件領域,4H碳化硅晶圓是當之無愧的重要角色。例如,基于4H碳化硅晶圓制作的MOSFET、MESFET器件、肖特基二極管等功率模組被視為新能源汽車電機控制器功率密度和效率提升的關鍵要素。

據了解,這批碳化硅晶圓由科創中心先進半導體研究院半導體材料研究室研制,碳化硅晶圓的晶型為4H,導電類型為半絕緣型,直徑為100 mm,厚度為515 μm。其總厚度變化(TTV)≤ 4 μm、翹曲度(warp)≤ 10 μm,表面粗糙度(Ra)為0.2 nm。這些碳化硅晶圓的關鍵技術指標已經達到了領域內的先進水平??苿撝行氖着?/span>100 mm半絕緣型4H碳化硅晶圓的成功研制是科創中心在半導體碳化硅研發道路上又邁出的堅實一步。

面向國家重大戰略,目前,科創中心先進半導體研究院正致力于打造以碳化硅為代表的具有國際先進水平的寬禁帶半導體材料和器件研究平臺,為我國寬禁帶半導體產業的發展提供有力支撐。


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